(Intrinsic Effect of a Nitrogen Atom on Hf-based High-k Gate Dielectrics -A First Principles Study)
American Physical Society March Meeting. 2005年03月21日-2005年03月25日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:04:01 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:12:07 +0900