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著者名UMEZAWA, Naoto, SHIRAISHI, Kenji, OHNO, Takahisa, WATANABE, Heiji, CHIKYOW, Toyohiro, 鳥居和功, YAMABE, Kikuo, YAMADA, Keisaku, 北島洋, 有門経敏.
タイトルIntrinsic Effect of a Nitrogen Atom on Hf-based High-k Gate Dielectrics -A First Principles Study
会議名American Physical Society March Meeting
発表年2005
言語English
外部での文献参照

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