Improvement on electrical properties of H-terminated diamond FETs using sputter deposition AlN/ atomic layer deposition Al2O3 st
28th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2017年09月03日-2017年09月07日.
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作成時刻: 2017-12-27 22:06:25 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:54 +0900