HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Investigation on the trap states at p-GaN MO(I)S interface with different gate dielectric layersSANG, Liwen, 任 兵, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SUMIYA, Masatomo. 応用物理学会. 2018年09月18日-2018年09月21日.NIMS著者廖 梅勇小出 康夫角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-03-04 09:35:44 +0900更新時刻: 2019-03-04 09:35:44 +0900
