HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Interface trap states at p-GaN MO(I)S capacitors with different gate dielectricsSANG, Liwen, 任 兵, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SUMIYA, Masatomo, IWN2018. 2018年11月11日-2018年11月16日.NIMS著者廖 梅勇小出 康夫角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-01-11 03:00:24 +0900更新時刻: 2020-01-11 03:00:24 +0900
