HOME > その他の文献 > 詳細窒化アルミニウム／ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ(Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)著者井村 将隆, 廖 梅勇, 小出 康夫. 掲載誌名NEW DIAMOND 28 [2] 36-38出版社出版年2012言語Japanese
