窒化アルミニウム／ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ
(Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)
NIMS著者
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作成時刻: 2020-11-20 10:42:45 +0900更新時刻: 2020-11-20 10:42:45 +0900