SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > その他の文献 > 詳細

窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ
(Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)

著者井村 将隆, 廖 梅勇, 小出 康夫.
掲載誌名NEW DIAMOND 28 [2] 36-38
出版社
出版年2012
言語Japanese

▲ページトップへ移動