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論文・分野から探す

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最終更新日: 2024年04月27日

45788件の論文が見つかりました。論文は出版年月日順に表示しています。(ヘルプ)
  • L.-W. Yin, Y. Bando, M.-S. Li, Y.-X. Liu, Y.-X. Qi. Unique SIngle-Crystalline Beta Carbon Nitride Nanorods. Advanced Materials. 15 [21] (2003) 1840-1844 10.1002/adma.200305307
  • 奥山 秀男, Masahiro Uda, 打越 哲郎, 鈴木 達, 目 義雄. Nb-Zr-Fe合金の水素吸収による粉化現象. Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy. 50 [10] (2003) 792-797 10.2497/jjspm.50.792
  • 奥山 秀男, 中田毅. アークプラズマによるNi-TiN, Pd-TiNおよびNi-TiC複合超微粒子の創製. 芝浦工業大学研究報告理工系編第47-2号. 47 [2] (2003) 91-97
  • Y. Xu, K. Otsuka, H. Yoshida, H. Nagai, R. Oishi, H. Horikawa, T. Kishi. SHape memory characteristics of cold drawn Ti-Ni wires. Journal de Physique IV (Proceedings). 112 (2003) 761-764 10.1051/jp4:2003993
  • A. Tajani, M. Mermoux, B. Marcus, E. Bustarret, E. Gheeraert, S. Koizumi. Strains and cracks in undoped and phosphorus-doped {111} homoepitaxial diamond films. physica status solidi (a). 199 [1] (2003) 87-91 10.1002/pssa.200303813
  • Tokuyuki Teraji, Masayuki Katagiri, Satoshi Koizumi, Toshimichi Ito, Hisao Kanda. Ohmic contact formation for n-type diamond by selective doping. Japanese Journal of Applied Physics. 42 [Part 2, No. 8A] (2003) L882-L884 10.1143/jjap.42.l882
  • M. Vanecek, R. Kravets, A. Poruba, J. Rosa, M. Nesladek, S. Koizumi. Fourier transform photocurrent spectroscopy of dopants and defects in CVD diamond. Diamond and Related Materials. 12 [3-7] (2003) 521-525 10.1016/s0925-9635(02)00347-3
  • K. Kimoto, Y. Matsui, T. Nabatame, T. Yasuda, T. Mizoguchi, I. Tanaka, A. Toriumi. Coordination and interface analysis of atomic-layer-deposition Al2O3 on Si(001) using energy-loss near-edge structures. Applied Physics Letters. 83 [21] (2003) 4306-4308 10.1063/1.1629397
  • 大石竜大郎, 永井英幹, XU, Ya, 吉田均. Smart composite materials by using SMA(shape memory alloy) strain sensor. TRANSACTION OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. 28 [3] (2003) 683-686
  • S. Guo, N. Hirosaki, H. Tanaka, Y. Yamamoto, T. Nishimura. Effect of oxidation on flexural strength of liquid phase sintered SiC with AlN and Er2O3 additives between 1200 ℃ and 1400 ℃. Materials Science and Technology. 19 [9] (2003) 1220-1224 10.1179/026708303225005917
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