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著者名N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, T. Arikado.
タイトルFirst-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics
掲載誌名Applied Physics Letters 86 [14] 143507
ISSN: 00036951 10773118
発表年2005
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.1899232
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