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著者名Ahmed A. M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Satoshi Ishii, Masataka Imura, Hiroyo Segawa, Isao Sakaguchi, Tadaaki Nagao, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi.
タイトルOptoelectronic characteristics of the Ag-doped Si p-n photodiodes prepared by a facile thermal diffusion process
掲載誌名AIP Advances 9 [5] 055024
ISSN: 21583226
発表年2019
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.5091661
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