HOME > Article > Detail集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報) 37 37-39. 2006.NIMS author(s)NAGATA, TakahiroSAKUMA, YoshikiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2016-05-24 15:04:10 +0900Updated at: 2018-12-15 00:03:28 +0900