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Enhancement-mode hydrogenated diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Y2O3 oxide insulator grown by electron beam evaporator

Applied Physics Letters 110 [20] 203502. 2017.

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-06-06 01:52:17 +0900 更新時刻 :2024-03-29 22:25:07 +0900

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