Deposition of TiO2/Al2O3 bilayer on hydrogenated diamond for electronic devices: Capacitors, field-effect transistors, and logic inverters | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Deposition of TiO2/Al2O3 bilayer on hydrogenated diamond for electronic devices: Capacitors, field-effect transistors, and logic inverters

J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, R. G. Banal, Y. Koide.

Journal of Applied Physics 121 [22] 224502. 2017.

https://doi.org/10.1063/1.4985066

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作成時刻: 2017-06-13 21:07:55 +0900更新時刻: 2024-10-05 05:37:05 +0900

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