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Deposition of TiO2/Al2O3 bilayer on hydrogenated diamond for electronic devices: Capacitors, field-effect transistors, and logic inverters

J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, R. G. Banal, Y. Koide.

Journal of Applied Physics 121 [22] 224502. 2017.

https://doi.org/10.1063/1.4985066

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作成時刻: 2017-06-13 21:07:55 +0900 更新時刻: 2026-10-29 05:28:26 +0900

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