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Effect of Sputter Deposition Atmosphere of AlN on the Electrical Properties of Hydrogen-Terminated Diamond Field Effect Transistor with AlN/Al2 O3 Stack Gate

physica status solidi (a) 214 [11] 1700463. 2017.

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    作成時刻: 2017-11-30 20:35:27 +0900更新時刻: 2024-04-30 05:22:39 +0900

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