Enhanced computing performance of MoS2-based Raman-ion-gating reservoir achieved by combining reservoir states from current response and resonant Raman scattering

Yoshitaka Shingaya; Daiki Nishioka; Kazuya Terabe; Takashi Tsuchiya; Yoshitaka Shingaya; Daiki Nishioka; Kazuya Terabe; Takashi Tsuchiya

doi:10.1063/5.0266816

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Enhanced computing performance of MoS2-based Raman-ion-gating reservoir achieved by combining reservoir states from current response and resonant Raman scattering

Yoshitaka Shingaya, Daiki Nishioka, Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya.

Applied Physics Letters 127 [17] 173503. 2025.

https://doi.org/10.1063/5.0266816

Open Access AIP Publishing (Publisher) Materials Data Repository (MDR)

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論文紹介

微細かつ高性能な物理リザバーを実現するMoS₂ラマン-イオンゲーティングリザバー

MoS₂チャネルとリチウムイオン伝導性固体電解質を用いた電気二重層トランジスタを作製し、物理リザバー計算に利用しました。MoS₂の共鳴ラマン散乱スペクトルがゲート電圧依存性を示すため、ラマン散乱シグナルをリザバー状態として用いることができます。ラマンシグナルと電流応答をともに計算資源として用いることによって、チャネル長とチャネル幅が数マイクロメートルの微細な単チャネル素子にもかかわらず、高い計算性能を実現できました。

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MDRavailable Enhanced computing performance of MoS2-based Raman-ion-gating reservoir achieved by combining reservoir states from current response and resonant Raman scattering

作成時刻: 2025-11-05 03:09:17 +0900 更新時刻: 2026-04-10 04:31:59 +0900