High-quality SiN x /p-GaN metal-insulator-semiconductor interface with low-density trap states

著者	Bing Ren, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Jin Su, Xinke Liu, Yasuo Koide, Liwen Sang.
掲載誌名	Journal of Physics D: Applied Physics 52 [8] 085105 ISSN: 00223727, 13616463 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	IOP Publishing
発表年	2019
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaf5ba
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