High-quality SiN x /p-GaN metal-insulator-semiconductor interface with low-density trap states
著者 | Bing Ren, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Jin Su, Xinke Liu, Yasuo Koide, Liwen Sang. |
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掲載誌名 | Journal of Physics D: Applied Physics 52 [8] 085105 ISSN: 00223727, 13616463 ESIでのカテゴリ: PHYSICS |
出版社 | IOP Publishing |
発表年 | 2019 |
言語 | English |
DOI | https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaf5ba |
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