HOME > 論文 > 書誌詳細Low-frequency noise in hBN/MoS2/hBN transistor at cryogenic temperatures toward low-noise cryo-CMOS device applicationsS. Nakaharai, T. Arakawa, A. Zulkefli, T. Iwasaki, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Wakayama. Applied Physics Letters 122 [26] 262102. 2023.https://doi.org/10.1063/5.0152475 NIMS著者ビン ズルケフリ モハメド アミール岩崎 拓哉渡邊 賢司谷口 尚若山 裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2023-07-19 10:49:25 +0900更新時刻: 2024-05-02 03:03:59 +0900
