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NIMS一般公開2024

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Single-Gate MoS2 Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction

Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2024-02-27 03:10:45 +0900更新時刻: 2024-05-03 12:10:49 +0900

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