Vertical-type Schottky-barrier photodiode using p-diamond epilayer grown on heavily boron-doped p(+)-diamond substrate | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Vertical-type Schottky-barrier photodiode using p-diamond epilayer grown on heavily boron-doped p(+)-diamond substrate
(導電性ダイヤモンド基板を用いた縦型ショットキーフォトダイオード)

M. Imura, Y. Koide, M.Y. Liao, J. Alvarez.

Diamond and Related Materials 17 [11] 1916-1921. 2008.

https://doi.org/10.1016/j.diamond.2008.04.012

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作成時刻: 2016-05-24 15:41:39 +0900更新時刻: 2024-10-07 05:22:29 +0900

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