GaNなどのIII-V族化合物半導体の高速成膜で実績のあるHVPE法を、UWBG半導体として注目されているGa2O3の成長に展開し、その確立を目指している。これまでに、独自の反応炉設計、および成長反応とエッチング反応のバランス最適化による寄生反応抑制技術により100 μm/hを超える超高速成長を実現し、それを用いて100 μmを超える厚膜を成長することに成功している。また、選択成長と高速成長の両立にも成功し、転位密度の大幅な低減にも成功した。これらの成果は、数十μmを超える厚いドリフト層を備えた高耐圧のGa2O3パワーデバイスの実現に大きく貢献すると考えている。