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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
表面構造、ナノ構造、伝導特性
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- NARA, Jun, SASAKI, Taizo, 大野隆史. THEORY of Adsorption and eiffusion of Si Adatoms on H/Si(100)Stepped Surface.. Journal of Crystal Growth. ()
- NARA, Jun, SASAKI, Taizo, OHNO, Takahisa. First-principles calculations on diffusion of Si adatoms on H/Si(001)-(2×1)surface. applied surface science. (1998) 254-259
- NARA, Jun, OHNO, Takahisa, 梶山博司. Theoretical Investigation of the island formation on a Hydrogen-terminated Si(001) Surface. Applied Surface Science. (2000) 152-155
会議録
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
- Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. EXTENDED ABSTRACT OF SOLID STATE DEVICE MATERIALS. (2014) 346-347
口頭発表
- OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
- HAMADA, Tomoyuki, OHNO, Takahisa, NARA, Jun. Microwave and Infared Absorbance of Graphite. 35th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2022). 2022
- NARA, Jun, HAMADA, Tomoyuki, OHNO, Takahisa. Theoretical Study on the Electronic States of Twisted Bilayer Graphene. 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022). 2022
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6667809号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
- 特許第7072148号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
- 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
- 特開2017216305号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
- 特開2020047665号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)