AlOxを陽極酸化法及びスパッタ法にて作製した。スパッタ法はターゲットに金属アルミとアルミナを使用した2元同時スパッタ法を用い、各ターゲットの出力を調整することにより陽極酸化法によるものと同等の酸化膜を作ることができた。電気特性を測定したところReRAM動作が確認され（図１）、抵抗の温度変化測定により金属絶縁体転移が起きていることがわかった（図２）。第一原理計算による理論的解析及び実験データの解析から、AlOx中の酸素空孔に電子が出入りすることにより金属絶縁体転移を起こすというモデル（酸素空孔モデル）を提唱してきた（図３）。このモデルでは酸素空孔に電子が出入りすることにより原子間距離が変化し、電子がオーバーラップしたりしなかったりすることによりスイッチングが起こることが動作原理であり化学変化は伴わない。スイッチングに化学変化が伴うReRAMは2次生成物が発生するため書き換え回数に限界があると言われているが、AlOxはそれがないため書き換え回数が非常に多い素子が実現できる可能性がある。放射光測定によりこの理論を補強する結果が得られたが、さらに実験による検証を行い書き換え回数が非常に多い素子の開発を目指す。