HOME > 会議録 > 書誌詳細Inserted-cation-dependent Device Characteristic of SrVO3-based All-solid-state Redox Transistor(SrVO3を用いる酸化還元トランジスタの動作の挿入カチオン依存性)TAKAYANAGI, Makoto, TSUCHIYA, Takashi, NAMIKI, Wataru, Tohru Higuchi, TERABE, Kazuya. Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials 1217-1218. 2018.NIMS著者土屋 敬志並木 航寺部 一弥Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-09-27 10:08:18 +0900更新時刻: 2018-09-27 10:08:18 +0900