HOME > 会議録 > 詳細高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成⻑(Growth of Ge and GeSn by high speed CW laser annealing)著者松村 亮, 深田 直樹. 発表誌名電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集発表年2021言語Japanese
