HOME > Proceedings > Detail高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成⻑(Growth of Ge and GeSn by high speed CW laser annealing)松村 亮, 深田 直樹. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集 63-66. 2021.NIMS author(s)MATSUMURA, RyoFUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2021-02-11 03:00:16 +0900Updated at: 2021-02-11 03:00:16 +0900