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著者名森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎.
タイトル抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜
(Study on Formative Mechanism of Conductive Path in Resistive Random Access Memory (ReRAM) −Analyses of Various NiO Surface States Using Ab Initio Calculations−)
発表誌名電子情報通信学会技術研究報告 IEICE Technical Report
発表年2014
言語Japanese

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