HOME > 会議録 > 書誌詳細抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜(Study on Formative Mechanism of Conductive Path in Resistive Random Access Memory (ReRAM) -Analyses of Various NiO Surface States Using Ab Initio Calculations-)森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 電子情報通信学会技術研究報告 IEICE Technical Report 135-138. 2014.NIMS著者大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-27 02:40:10 +0900 更新時刻 :2018-05-21 21:45:09 +0900