パルスレーザー堆積法により作製されたSapphire基板上のGaN薄膜の特性
(Properties of pulsed laser deposited GaN thin films on sapphire)
応用物理学会. 2003年08月30日-2003年09月02日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 03:35:10 +0900 更新時刻: 2018-05-30 19:08:00 +0900