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パルスレーザー堆積法により作製されたSapphire基板上のGaN薄膜の特性
(Properties of pulsed laser deposited GaN thin films on sapphire)
応用物理学会. August 30, 2003-September 02, 2003.
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Created at: 2017-02-18 03:35:10 +0900 Updated at: 2018-05-30 19:08:00 +0900