p-GaAs(110)表面からのトンネル電子誘起発光近接場計測
(Light Emission Induced by Tunneling Electrons from p-type GaAs(110) Surfaces Observed at Near-field)
日本物理学会第59回年次大会. 2004.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:43:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 18:57:36 +0900