Irradiation Temperature Dependence of Residual Defects in 17MeV-Proton Bombereded Silicon
(17MeVプロトン照射したSiにおける残留欠陥の照射温度依存性)
第１８回半導体欠陥国際会議. 1995年07月23日-1995年07月28日.
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作成時刻: 2017-02-14 11:45:26 +0900 更新時刻: 2023-04-09 15:01:52 +0900