HOME > Presentation > Detail高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会). January 28, 2022-January 29, 2022.NIMS author(s)MATSUMURA, RyoFUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2022-04-21 03:25:26 +0900 Updated at: 2022-04-21 03:25:26 +0900