HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE 法によりZnO(0001), (0001)基板上へ作製したGaN 薄膜の構造と特性(Structure and properties of GaN films grown on ZnO (0001) and (0001) substrates prepared by MBE method)大垣 武, 杉村 茂昭, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. 2004年春季応用物理学関係連合講演会. 2004年03月28日-2004年03月31日. 招待講演NIMS著者大垣 武大橋 直樹坂口 勲羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:35:39 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:40:06 +0900