HOME > Presentation > DetailMBE 法によりZnO(0001), (0001)基板上へ作製したGaN 薄膜の構造と特性(Structure and properties of GaN films grown on ZnO (0001) and (0001) substrates prepared by MBE method)大垣 武, 杉村 茂昭, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. 2004年春季応用物理学関係連合講演会. March 28, 2004-March 31, 2004. InvitedNIMS author(s)OGAKI, TakeshiOHASHI, NaokiSAKAGUCHI, IsaoHANEDA, HajimeFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 03:35:39 +0900Updated at: 2024-03-05 11:40:06 +0900