水素終端Si(001)表面上へのGe原子吸着に関する第一原理計算
(First-Principles Study of Ge adsorption on H/Si(001) surface)
25th International Conference on the Physics of Semiconductors (. 2000年09月17日-2000年09月22日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:41:40 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:12:49 +0900