Microstructure of Boron-doped AlN Epitaxial Layer Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
29th International Conference on Defects in Semiconductors. 2017年07月30日-2017年08月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-12-27 22:06:24 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:54 +0900