HOME > Presentation > Detail4H-SiC中の貫通螺旋転位の構造と電子状態(Geometric and Electronic Structures of Threading-Screw-Dislocations in 4H-SiC)山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013.NIMS author(s)NARA, JunFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:39:21 +0900Updated at: 2018-06-05 13:29:15 +0900