HOME > Presentation > DetailGaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長(Growth of Strain-Relaxed InGaAs on GaAs (111)A)ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013.NIMS author(s)MANO, TakaakiOHTAKE, AkihiroSAKUMA, YoshikiSAKODA, KazuakiKURODA, TakashiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:23:28 +0900Updated at: 2017-07-10 21:41:16 +0900