HOME > Presentation > DetailGaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長(Growth of Strain-Relaxed InGaAs on GaAs (111)A)ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. September 16, 2013-September 20, 2013.NIMS author(s)MANO, TakaakiOHTAKE, AkihiroSAKUMA, YoshikiSAKODA, KazuakiKURODA, TakashiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:23:28 +0900 Updated at: 2017-07-10 21:41:16 +0900