Low-temperature AlN Buffer Layer Technique to Eliminate the Small-angle Grain Boundary in AlN Grown on Sapphire Substrate
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides. 2015年11月08日-2015年11月13日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:01:57 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:17:08 +0900