High-k 絶縁膜中の欠陥とトランジスタ特性の関係の理論的研究
(Theoretical investigations on the relationship between FET characteristics and defects in high-k gate dielectrics.)
シンポジウム「来るべきナノCMOS 時代に向けての挑戦とその課題」. 2005年04月27日-2005年04月28日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 03:49:54 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:18:17 +0900