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著者名森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎.
タイトル抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討〜 NiOの様々な面方位の第一原理電子状態解析 〜
(Formative Mechanism of Conducting Path in Resistive Random Access Memory - First-Principles Electronic State Analyses for Various NiO Surfaces -)
会議名応用物理学会春季学術講演会
発表年2015
言語Japanese
外部での文献参照

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