HOME > Presentation > DetailDevelopment of boron-doped diamond metal-semiconductor field-effect transistors(ホウ素ドープダイヤモンド金属 - 半導体電界効果トランジスタの開発)LIU, Jiangwei, DA, Bo, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. 第33回ダイヤモンドシンポジウム. 2019.NIMS author(s)LIU, JiangweiDA, BoTERAJI, TokuyukiKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2019-12-11 03:00:21 +0900 Updated at :2019-12-11 03:00:21 +0900