HOME > 口頭発表 > 書誌詳細イオン液体ゲートを用いて制御した水素終端シリコンの電気伝導特性(Transport Properties of Hydrogen-Terminated Silicon Controlled by Ionic-Liquid gating)笹間 陽介, 山口 尚秀, 松本 凌, 田中 将嗣, 鈴木 皓司, 原 裕, 山下 愛智, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. 日本物理学会 第72回年次大会(2017年). 2017年03月17日-2017年03月20日.NIMS著者笹間 陽介山口 尚秀松本 凌竹屋 浩幸高野 義彦Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:07:52 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:32:42 +0900