ホウ素ドープダイヤモンドは、ダイヤモンドが本来持つ優れた機械的・化学的安定性に加えて、電気的特性を絶縁体・半導体・金属とチューニングできる点が特長である。本研究では適切にキャリア密度を制御したホウ素ドープダイヤモンドを、試料の物性測定用電極・ヒーター・温度計の形状でダイヤモンド圧子の上にエピタキシャル成長させた「極限環境下物質探索用デバイス」を開発した。このデバイスではダイヤモンド圧子により数十万気圧以上の圧力、ダイヤモンドヒーターにより数百℃以上の高温環境を作り出し、その場で試料の電気輸送特性測定や構造解析を行うことができる。従来、同様の実験を行うためには莫大な労力が必要であったが、全ての要素に繰り返し使用可能なダイヤモンドを用いることにより、簡便かつハイスループットな物質開発を実現した。本技術は、理論的に極限環境下で存在すると予測されている室温超伝導体の実証実験に大きく貢献する。また極限環境下で動作する電気二重層トランジスタやダイヤモンド量子センサーのリード線としての応用も進めており、今後様々な形で活用することのできる技術と期待している。