HOME > Presentation > Detail新規窒化物半導体 MgSnN2及び CaSnN2の高圧合成 川村 史朗, 井村 将隆, 山田 直臣, 村田 秀信, 谷口 尚. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. September 18, 2019-September 21, 2019.NIMS author(s)KAWAMURA, FumioIMURA, MasatakaTANIGUCHI, TakashiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2021-01-14 08:52:43 +0900Updated at: 2021-01-14 08:52:43 +0900