HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN growth on beta-Ga2O3 substrates by the molecular beam epitaxy techniqueビジョラ ガルシア, 島村 清史, 青木和夫, 北村 健二. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006.NIMS著者ビジョラ ガルシア島村 清史Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:34:13 +0900 更新時刻 :2017-07-10 19:36:30 +0900