HOME > Presentation > DetailAlN growth on beta-Ga2O3 substrates by the molecular beam epitaxy techniqueビジョラ ガルシア, 島村 清史, 青木和夫, 北村 健二. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006.NIMS author(s)VILLORA, GarciaSHIMAMURA, KiyoshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:34:13 +0900Updated at: 2017-07-10 19:36:30 +0900