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著者名サン リウエン, 任 兵, 廖 梅勇, 角谷 正友, 小出 康夫.
タイトルGrowth rate dependence and leakage mechanism for vertical-type Schottky barrier diodes fabricated on MOCVD-GaN/GaN substrates
会議名第64回応用物理学会春季学術講演会
発表年2017
言語Japanese
外部での文献参照

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