HOME > 口頭発表 > 詳細Growth rate dependence and leakage mechanism for vertical-type Schottky barrier diodes fabricated on MOCVD-GaN/GaN substrates 著者サン リウエン, 任 兵, 廖 梅勇, 角谷 正友, 小出 康夫. 会議名第64回応用物理学会春季学術講演会発表年2017言語Japanese
