Growth rate dependence and leakage mechanism for vertical-type Schottky barrier diodes fabricated on MOCVD-GaN/GaN substrates
第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017年03月14日-2017年03月17日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-12-16 22:06:29 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:16:41 +0900