強誘電体ゲート有機トランジスタへの応用に向けた原子層堆積法によるHfxZr1-xO2薄膜の成長条件の検討
(Evaluation of growth conditions of HfxZr1-xO2 thin films using atomic layer deposition for application to ferroelectric-gate organic transistors)
2026年 第87回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-10-17 03:10:13 +0900 更新時刻: 2026-10-17 03:10:13 +0900