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ダイヤモンド/PZT接合を用いた金属‐強誘電体‐絶縁体‐半導体キャパシタの作製及びデバイス特性
(Diamond/PZT junction as metal-piezoelectric-insulator-semiconductor capacitor and related device properties )

2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010年03月17日-2010年03月20日.

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    作成時刻: 2017-01-08 03:59:03 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:44:54 +0900

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