SiO2/Si(100)における電子線刺激脱離現象及びそのAES深さ分布への影響.
(Electron Desorption on SiO2/Si(100) and its Influence on AES Depth Profile.)
日本表面科学会. 1993年11月30日-1993年12月02日.
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作成時刻: 2017-01-08 03:38:18 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:26:36 +0900