Hfを基礎としたHigh-kゲート絶縁膜中の酸素空孔の形成を促進する窒素添加の悪影響
(An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Accelerating Oxygen Vacancy Formation in Hf-based High-k Gate Dielectrics)
ゲートスタック研究会. 2006.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:30:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:33:06 +0900