HOME > 口頭発表 > 書誌詳細低温成長SiO2でパッシベーションされたシリコン表面に対する水素ラジカル処理の効果(Impacts of hydrogen radical treatment for SiO2 deposited on silicon by low temperature process)池野 成裕, 土屋祐樹, 立花福久, 鈴木摂, 石橋啓次, 長田 貴弘, 小椋厚志, 知京 豊裕. INC8. 2012年05月08日-2012年05月11日.NIMS著者長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:20:00 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:20:58 +0900